迪纳队管电企【文献链接】JiantaoFu,etal.OxygenDopingInducedbyNitrogenVacanciesinNb4N5EnablesHighlySelectiveCO2Reduction,Small,2020,16,1905825DOI:10.1002/smll.201905825。

科技并通过STEM技术明确缺陷态来源于单硫和双硫空位。温度低于125K时，车掌荧光谱线中1.75eV附近处出现一个新的缺陷态发射峰（XD），其强度为A激子发射峰（XA）的2倍（图2c-d）。

柜车(a-b)单层1H-MoS2中VS缺陷的的侧视图和俯视图。感谢中国国家自然科学基金、理方力供四川省自然科学基金的资助。研究亮点：案助1.在实验上证实了缺陷态的谷赝自旋特性，借助外磁场对其进行操控，观察到增强谷塞曼劈裂效应，填补了实验空白。

同时，业减缺陷态电子有效质量增加了7倍，增强了谷磁矩，从而再次增强缺陷态谷塞曼劈裂。(c)外磁场下，本增缺陷态谷塞曼劈裂原理示意图。

3.提出了缺陷态增强谷塞曼劈裂效应的物理机制，迪纳队管电企有效电子质量以及d轨道磁矩的增加导致了塞曼劈裂的增加。

含有硫空位时，科技±K谷处的价带顶以及缺陷态能级由Mo原子的5个d轨道组成：dzx和dzy(m=±1)、dx2-y2和dxy(m=±2)及dz2轨道(m=0)。c）计算，车掌从左到右分别计算干净表面Ptd轨道的PDOS、Pt位点吸附氢的H1s和吸附氢的Pt位点的Ptd（表示为*Ptd轨道）。

柜车d）Pt1/N-C和Pt/C电催化剂的TOF图。这意味着单个金属原子与载体之间的相互作用将会自我调节，理方力供从而促进催化反应的进行。

案助插图：放大的白线峰和后边缘XANES区域。业减c）相应的图1e的k2加权傅里叶变换（FT）光谱。